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采用射频磁控溅射沉积方法，结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜，通过优化工艺，制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜．利用X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的相结构、组分进行了分析．测试结果显示，V2O5薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下，制备得到的薄膜成分主要是VO2相．
热红外探测VO2薄膜的制备与XPS分析
【摘 要】
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采用射频磁控溅射沉积方法，结合氢气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜，通过优化工艺，制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜．利用X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的相结构、组
【机 构】
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郧阳师范高等专科学校物理系
【出 处】
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郧阳师范高等专科学校学报
【发表日期】
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2009年3期
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