“人才数字大脑”为人才工作智治赋能

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从“小切口、大场景”出发,近年来,湖州市打造出“人才数字大脑”,系统推出人才“政策宝”“引才云”“聚才全链通”等多个跨应用场景,着力实现人才政策“一键申领”、人才招引“一云统揽”、人才双创“一网通办”、人才服务“一码专享”、人才发展“一图感知”,有力推动人才管理机制重塑再造.
其他文献
随着社会对技术转移机构和技术转移人才的需求日益旺盛,加之国家政策鼓励,越来越多的群体加入了科技成果转化这个行业.国家与地方也加大了对技术转移人才的培养力度,技术转移从业人员数量得到了大幅度增加.然而,高层次、专业化技术转移人才仍然非常紧缺.rn例如《上海市重点领域(科技创新类)“十四五”紧缺人才开发目录》中,就列有14小类与技术转移相关的紧缺人才,其中10小类为质量紧缺、1小类为数量紧缺、3小类为质量数量双紧缺.
摩擦纳米发电机作为一种能够将机械能转换为电能的新型能源转换装置,自发明以来便引起了广泛关注,然而其环保性能由于原料来源多为合成高分子材料而受到制约.采用绿色环保的纤维素材料制备摩擦纳米发电机是解决上述问题的重要方式之一.本研究以竹纤维素和钛酸钡(BaTiO3)为原料,结合湿法造纸和掺杂改性制备了纤维素/钛酸钡复合纸,并将其作为正极摩擦层构建了纸基摩擦纳米发电机(cellulose/barium titanate-triboelectric nanogenerator,C/BT-TENG).结果表明,BaT
基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层TiOCl2的电子结构、输运性质和光学性质进行了理论研究.对单层TiOCl2材料的声子谱、分子动力学和弹性常数的计算结果表明,该材料在常温下能稳定存在,并具有较好的动力学、热力学和机械稳定性.电子结构分析表明,单层TiOCl2是一种间接窄带隙半导体(能隙为1.92 eV).在应力调控下,单层TiOCl2材料的能带结构、输运性质和光学性质均发生明显变化.沿a方向施加–4%的收缩应力后,单层TiOCl2由间接带隙变为直接带隙,带隙减小至1.66 eV.同时TiOCl2还
研究了自旋轨道耦合量子点中的量子相干效应.运用输运电子的全计数统计方法计算系统的平均电流、散粒噪声和偏斜,发现体系存在自旋轨道耦合作用时,散粒噪声值随自旋轨道耦合常数的增加而减小.更重要的是,电流、噪声和偏斜随磁通周期性波动,并且波动周期不受自旋轨道耦合强度大小、自旋极化率以及动力学耦合不对称的影响.
无机长余辉材料是一种储能释光材料,其储能特性源于材料内部的电子或空穴陷阱在外界激发光作用下的填充.通过上转换激发的方式对长余辉材料充能是学者们在近几年提出的一种新颖的激发充能机制.这种两步离化的激发设计使长余辉材料的充能摆脱了高能离化光的限制,将充能激发波长扩展至可见光甚至红外光区,为长余辉技术在生物成像等领域的应用提供了原位激发的选择.目前,学者们对上转换充能的研究主要集中在材料的开发和激发路径的设计等方面,而对充能本身的物理过程知之甚少.本文通过构建分析上转换充能的速率方程,预测了激发辐照光对陷阱的光
发展高端装备制造业,是提升我国制造业核心竞争力的必然要求,国产大飞机的研制有助于促进我国制造业向全球价值链的中高端发展.中国商飞是实施国家大型飞机重大专项中大型客机项目的主体,为发现、培养更多忠诚于大飞机事业的人才,近年来公司实施了“万人精兵工程”“千人骨干计划”等人才识别与评价项目,着力建设以创新能力、质量、贡献为导向的人才评价体系.
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过去的人才项目经费,多是简单规定可用于课题研究、人才培养等,使用经费时受各种条件限制,管理方式不一,也难以与他人分享,经费未能发挥最大效益,人才获得感也不强.rn重庆深入学习贯彻习近平总书记“要着力改革和创新科研经费使用和管理”重要指示精神.2021年3月,聚焦人才项目经费用不好、不好用等突出问题,以落实人才项目经费管理自主权为突破口,由市委组织部、市科技局、市社科联(市社科规划办)联合制定出台《重庆英才计划“包干制”项目实施方案》,在全国率先实行省部级人才类项目经费“包干制”,按照“自主申报、自主选题、
上昆山创新实施“头雁人才”工程,实行项目资金“包干制”,激发顶尖人才创新创业活力,顶尖人才集聚水平持续提高.图为首批“头雁人才”企业——清陶(昆山)能源发展有限公司专注技术产品研发.rn中举办昆山创业周、昆山创新创业大赛品牌引才活动.2020年以来,昆山创业周连续两年实现签约高端人才科创项目超100个、新引进创新创业博士超100人、项目投资总额超100亿元“3个超100”目标,招才引智成效显著.图为创新创业大赛优质项目对接落户昆山.
晶界控制的调幅分解对材料微观组织及性能有着十分重要的影响,然而,限于研究手段,我们对晶界与调幅分解间相互作用过程及机制的认识仍存在不足.本文采用相场法模拟了实际多晶体系的调幅分解过程,研究了晶界曲率及晶界处原子扩散速率对调幅组织形貌的影响,并讨论了调幅分解与晶界迁移的相互作用关系.结果表明,晶界能够促进并调制调幅组织形貌,晶界附近为各向异性调幅组织,晶粒内部为各向同性双连通调幅组织;随着晶界曲率增大,调幅组织由垂直晶界转变为平行晶界;调幅分解速度随着晶界原子扩散系数的增大而增大,而调幅分解过程中的晶界迁移
利用非平衡格林函数结合密度泛函理论,研究了顺式蒽二噻吩和反式蒽二噻吩分子连接锯齿边碳化硅纳米带的自旋输运特性,并在铁磁场下观察到自旋向上和自旋向下具有同方向的自旋整流特性.在铁磁场下,边缘碳原子或者硅原子双氢原子钝化可以改变锯齿边碳化硅纳米带的本征金属性,使其转变为半导体.顺式蒽二噻吩器件和反式蒽二噻吩器件的自旋向上电流-电压特性可以呈现显著的自旋整流效应,相应的最大自旋整流比分别接近1011和1010.此外,由于自旋向上和自旋向下电流值之间的巨大差异,两个器件的电流-电压特性都在正偏压区域呈现出完美的自