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采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4。利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90~1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F。探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1。