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本文旨在研制盖革模式电路并在两种紫外光照射下测试电路性能，为紫外通信提供数据参考。研制了适用于硅雪崩光电二极管（APD）的主动、被动两种盖革模式电路，设计并实现了输出可调至300．0V的高稳定直流高压偏置电源，实测纹波电压小于20．4mV，纹波系数小于6．8×10^-5。分别在可见盲和日盲两种紫外光照下，测试了被动盖革模式APD的死时间、暗计数和光子计数，给出了被动盖革模式工作的较佳高压偏置范围；紫外光照下，被动盖革模式APD的电路输出脉冲的死时间为1．0μs。基于被动盖革模式电路测试的参数，研