【摘 要】
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铜互连与低-k介质在集成电路制造中的应用对表面平坦化提出更高的要求。为改善铜层化学机械抛光（Cu—CMP）效果，将聚苯乙烯（PS）颗粒应用于铜的化学机械抛光液，分析PS颗粒抛光液中氧
【机 构】
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清华大学摩擦学国家重点实验室,深圳清华大学研究院
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铜互连与低-k介质在集成电路制造中的应用对表面平坦化提出更高的要求。为改善铜层化学机械抛光（Cu—CMP）效果，将聚苯乙烯（PS）颗粒应用于铜的化学机械抛光液，分析PS颗粒抛光液中氧化剂、络合剂、pH值、粒径及颗粒含量对铜的化学机械抛光性能的影响，并通过静态腐蚀及电化学手段对Ps颗粒在抛光液中的化学作用进行了分析。实验结果表明，当以过氧化氢（H2O2）为氧化剂，氨基乙酸（C2H5NO2）为络合剂时，优化后的PS颗粒抛光液取得了较高的铜抛光去除速率，达到1μm／min，同时发现PS颗粒的加入增强了抛光液的化
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