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<正> 离子束辅助沉积(以下简称IVD)方法是将离子束技术与真空沉积薄膜技术相结合的一种新的制膜方法。它具有沉积速率高、薄膜吸附强度大、薄膜外延温度低并能消除膜应力等优点。因此,近年来在国际上受到重视和发展。
离子束辅助沉积(IVD)方法制备Ag/Si薄膜
【摘 要】
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<正> 离子束辅助沉积(以下简称IVD)方法是将离子束技术与真空沉积薄膜技术相结合的一种新的制膜方法。它具有沉积速率高、薄膜吸附强度大、薄膜外延温度低并能消除膜应力等优
【机 构】
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武汉大学,武汉大学,武汉大学,武汉大学
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1987年01期
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