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利用校准之后工艺模拟软件TSUPREM．4和器件模拟软件MEDICI，采用工艺模拟与实际工艺流片相结合的方法对沟道尺寸为0．8μm-2μm之间的金属铝栅CMOS进行器件模拟、试验及分析，提出了相应的工艺及改进措施，确定了器件的结构、工艺等参数，提出了一个可行的工艺流程。通过对晶体管部分特征参数和电学特性的详细分析，最终获得了满意的设计参数和性能。同时通过对在此工艺平台下的各种端口的ESD保护结构进行试验与分析，找出满足2kVHBM模式的ESD保护结构与设计规则。