【摘 要】
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根据空间应用项目需求，采用等离子辅助电子束蒸发方法对RB—SiC基底进行了表面改性，并对表面改性的性能和可靠性进行了相关评估．经测试，改性后RB—SiC基底表面粗糙度（rms）降低到0．63
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院光学系统先进制造技术重点实验室
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根据空间应用项目需求，采用等离子辅助电子束蒸发方法对RB—SiC基底进行了表面改性，并对表面改性的性能和可靠性进行了相关评估．经测试，改性后RB—SiC基底表面粗糙度（rms）降低到0．632nm；散射系数降低到2．81％，500～1000nm范围的平均反射率提高到97．05％，已经接近于抛光良好的微晶玻璃的水平；改性涂层温度稳定性高，与基底结合牢固；加工后，面形精度达到0．1192（PV）和0．0142（rms），λ=632．8nm．评估结果表明，这种SiC基底表面改性的工艺是可靠的，其光学性能满足空间
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