【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法和固相法制备了Ce5.9Ga0.1MoO15-δ.通过差热-热重分析、X射线粉末衍射、X射线光电子能谱和交流阻抗谱等手段对其进行结构表征和导电性能测试.结果表明:Ga的
【机 构】
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长春工业大学生物工程学院,中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,
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采用溶胶-凝胶法和固相法制备了Ce5.9Ga0.1MoO15-δ.通过差热-热重分析、X射线粉末衍射、X射线光电子能谱和交流阻抗谱等手段对其进行结构表征和导电性能测试.结果表明:Ga的掺杂可增加氧离子空位浓度,改善母体的电导率;测试温度为800℃时溶胶-凝胶法合成Ce5.9Ga0.1MoO15-δ的电导率为6.5×10-3S/cm,高于固相法制备材料的电导率(1.8×10-3S/cm).
Ce5.9Ga0.1MoO15-δ was prepared by sol-gel method and solid-state method, and its structure was characterized by DTA-TG, X-ray powder diffraction, XPS and AC impedance spectroscopy The results show that Ga doping can increase the vacancy concentration of oxygen ions and improve the conductivity of the matrix. When the temperature is 800 ℃, the conductivity of Ce5.9Ga0.1MoO15-δ synthesized by sol-gel method is 6.5 × 10 -3S / cm, higher than the conductivity of the material prepared by the solid phase method (1.8 × 10-3S / cm).
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