氧化硅-氧化铋系统中硅酸铋晶体生长实时观测

来源 :陕西科技大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:acshixiaoguang
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高温熔体的实时观测与分析对于晶体生长及其影响因素分析具有十分重要的意义.利用高温热台及偏光显微镜,对铋硅系统熔融及冷却过程进行实时观测.观察到高温下与石英砂接触的氧化铋粉体先熔融,说明异质颗粒接触点处是反应开始的地方.之后熔体与石英(二氧化硅)晶体反应,冷却过程中在石英晶体表面周围及坩埚壁附近生长出硅酸铋晶体,这说明晶体易在颗粒接触处析出.实验中氧化铋与二氧化硅摩尔比为4∶3,此时石英晶体并没有全部熔融.对比分析系统熔体在降温时晶体析出长大的过程,计算出硅酸铋晶体的生长平均速率为15.38μm/min.通
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