论文部分内容阅读
麻省理工学院(MIT)的研究人员们宣称已经开发出了一种新技术,能将用于芯片图案蚀刻的高速电子束光刻的分辨率尺度推进到9nm(纳米),远远超出人们此前的预想。MIT表示新发现将会大大延长电子束光刻技术在半导体制造业中的寿命。MIT透露,他们的这次突破主要得益于两点,一是使用更薄的绝缘层来尽量避免电子散射,二是使用特殊材料对接收电子较多的区域进行了加固。