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设计了一种宽输出频率范围高线性度的电流控制振荡器。该电路采用一种改进的电流饥饿型环形振荡器电路,在扩大控制电压变化范围的同时保持振荡器电路的高线性度。基于28 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,电路后仿真结果表明:该振荡器的控制电压变化范围为200~700 m V,输出频率范围为600~1 600 MHz,振荡频率与控制电压的非线性度约为3%。