【摘 要】
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本文介绍一种用标准CMOS工艺制作的横向双基极磁敏晶体管.工作机理是载流子在磁场作用下的偏转效应和注入调制效应,且以偏转效应为主.实验得出相对灵敏度正比于基区加速电场
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系
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本文介绍一种用标准CMOS工艺制作的横向双基极磁敏晶体管.工作机理是载流子在磁场作用下的偏转效应和注入调制效应,且以偏转效应为主.实验得出相对灵敏度正比于基区加速电场和基区长度L.在加速电流I_(BB)=300μA时,相对灵敏度达到0.5μA/μA·T左右.
In this paper, we introduce a horizontal bistatic magneto transistor fabricated by a standard CMOS process. The working mechanism is the deflection effect and injection modulation effect of charge carriers under the action of magnetic field, and the deflection effect is the main reason. The relative sensitivity is proportional to The base accelerates the electric field and the base length L. The relative sensitivity reaches about 0.5μA / μA · T when the acceleration current I_ (BB) = 300μA.
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