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本文介绍了电子束蒸发二氧化硅薄膜的工艺方法，影响蒸发二氧化硅薄膜质量的因素，以及用于Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的结果。
电子束蒸发二氧化硅薄膜在Si／Si1—XGexHBT中的应用研究
【摘 要】
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本文介绍了电子束蒸发二氧化硅薄膜的工艺方法，影响蒸发二氧化硅薄膜质量的因素，以及用于Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的结果。
【机 构】
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北京工业大学电子工程系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1996年2期
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