【摘 要】
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模块化多电平分级逐段线性化思想可以大幅提高线性功率放大器的效率,绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)作为一种大功率器件用于其中将会大大简化大
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模块化多电平分级逐段线性化思想可以大幅提高线性功率放大器的效率,绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)作为一种大功率器件用于其中将会大大简化大功率放大器的电路,但IGBT的类别中没有P沟道管,传统的复合P管用于线性功率放大时存在输出电压动态范围不足的问题。首先分析了该问题的形成原因,并提出一种宽动态范围的P-IGBT结构,然后分析了该结构的特性与功率放大机理,同理构造出特性完全对称的N-IGBT管,接着利用这2种异型对管构成互补线性功率放大器,最后
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