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聚焦芯片功耗密度、水平互连焦耳热和垂直互连焦耳热三种温升因素,构造二维和三维集成电路的热阻分析模型,基于2003年国际半导体技术发展路线图(2003-ITRS),计算二维和三维集成电路的热阻和温升参数,给出热阻二维图和温升三维图.分析结论为热阻参数是严重影响二维和三维集成电路发展的瓶颈.
二维和三维集成电路的热阻计算
【摘 要】
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聚焦芯片功耗密度、水平互连焦耳热和垂直互连焦耳热三种温升因素,构造二维和三维集成电路的热阻分析模型,基于2003年国际半导体技术发展路线图(2003-ITRS),计算二维和三维集
【机 构】
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苏州大学电子信息学院微电子学系
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2005年5期
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