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随着工艺的不断发展，深亚微米Ic物理设计给了我们很大的挑战，比如在时序收敛、电压降、串扰分析等方面带来的挑战。本文以一块高性能单片机芯片的后端设计流程为例，讲述在0．18μm工艺下后端设计过程中所遇到的问题，以及解决问题的新方案，克服了以往后端设计耗时长的缺陷，在短时间内完成了后端设计。
集成电路物理设计方法探究
【摘 要】
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随着工艺的不断发展，深亚微米Ic物理设计给了我们很大的挑战，比如在时序收敛、电压降、串扰分析等方面带来的挑战。本文以一块高性能单片机芯片的后端设计流程为例，讲述在0．18μm
【机 构】
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福州大学物理与信息工程学院
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2013年4期
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