【摘 要】
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<正> 传统的中小功率器件周边大都为方形或圆形造型.制作pn结方片具有工艺简单、材料利用率较高的特点,但由于四个棱角处电场集中(称此电场为棱角电场),故阻断特性受到限制.
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系
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<正> 传统的中小功率器件周边大都为方形或圆形造型.制作pn结方片具有工艺简单、材料利用率较高的特点,但由于四个棱角处电场集中(称此电场为棱角电场),故阻断特性受到限制.圆片的表面电场相对低些,但材料损耗大,设法降低数量上占市场主导的中小功率器件的材料消耗将产生相当可观的经济效益.本文提出了正六方形周边设计方法,该设计相对方片可以降低表面电场强度,相对圆片可以大大提高硅材料利用率.
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