【摘 要】
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报道了单晶石墨、多晶石墨电导行为的差异.在8.15 T磁场下,4.5 K处单、多晶石墨的正磁电阻效应分别为69400%,170%,同时在0T,8T磁场作用下,多晶石墨的电导行为呈现类绝缘体型
【机 构】
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南京理工大学机械工程学院,南京大学固体微结构国家重点实验室,德国莱比锡大学物理系
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报道了单晶石墨、多晶石墨电导行为的差异.在8.15 T磁场下,4.5 K处单、多晶石墨的正磁电阻效应分别为69400%,170%,同时在0T,8T磁场作用下,多晶石墨的电导行为呈现类绝缘体型性质,但在单晶石墨中我们发现了与磁场相关的类半金属-绝缘体型转变,通过分析,我们认为:单、多晶石墨电导行为存在较大差异的原因可能来源于库仑相互作用在高定向热解石墨中变得不可忽视,而多晶石墨样品却存在晶界散射.
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