【摘 要】
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ZnO和ZnSe都是重要的宽带隙Ⅱ-VI族半导体材料。一维ZnO和ZnSe纳米材料是目前半导体一维纳米材料研究领域的热点,又由于二者之间的能带差,如果构成异质结构将会使材料的电子
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春理工大学理学院,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室
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ZnO和ZnSe都是重要的宽带隙Ⅱ-VI族半导体材料。一维ZnO和ZnSe纳米材料是目前半导体一维纳米材料研究领域的热点,又由于二者之间的能带差,如果构成异质结构将会使材料的电子传输特性发生改变,因而可以应用于光电等领域。本文用气相传输法制备了ZnO纳米线,然后用异丙基硒对样品进行处理,并对样品进行了SEM、TEM和HFTEM的表征,结果表明我们已经成功制备出了ZnO/ZnSe核/壳纳米线异质结构。
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