【摘 要】
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<正> 自从发现在GaAs晶体上作成的P—n结能发射很强的光并观测了它的激光作用之后,至今已有10年的历史了。在此期间,虽然经历了不少曲折,但由于许多研究人员的积极努力,这种
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<正> 自从发现在GaAs晶体上作成的P—n结能发射很强的光并观测了它的激光作用之后,至今已有10年的历史了。在此期间,虽然经历了不少曲折,但由于许多研究人员的积极努力,这种半导体发光器件取得显著的进展。当然,还有许多不足之处和有待今后解决的问题,但毕竟有一部分器件已跨入了实用阶段。半导体器件所期望的各种优点,诸如体积小,简便,效率高,价格低廉等特点正在逐步付诸实现。
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