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参与区域经济合作是渝黔地区经济快速发展的必由之路
【出 处】
:
重庆经济
【发表日期】
:
1995年6期
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用具有调制源的分子束外延(MBE)轻掺杂Si生长出GaAs层,并利用低温光致发光测定了它的特性。在光致发光光谱的近带边区观察到了自由激子和束缚激子发射。与杂质有关的发射在光