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高品质的150 mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板,在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET。在2013年10月举办的“CEATECJAPAN2013”上,电装展示了SiC的相关技术。其中包括了两大“惊喜”。一是电装宣布SiC功率元件将在2015年实用
High-quality 150 mm diameter SiC substrate has been achieved. We will use this substrate to put into ’channel’ SiC MOSFETs in 2015. In “2013 CEATECJAPAN2013 ” held in October 2013, Denso displayed SiC related technology. Including two big “surprise”. First, Denso announced SiC power components will be practical in 2015