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利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）方法不同生长条件下在C面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜，通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质，结果表明：合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH，分解率较低，In—N的成键可能性小，导致In在表面聚集出现分凝；而较高生长温度时，InN薄膜中In—N键能较小，易发生断裂，反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面，In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品，未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形