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用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd∶GdVO4)单晶, 并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了(100)面晶体位错密度为600 个/mm2.观察了不同提拉方向的晶体生长形貌, 可采用简单光学方法确定晶体方向.
Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌
【摘 要】
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用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd∶GdVO4)单晶, 并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了(100)面晶体位错密度为600 个/mm2.观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院,北京工业大学环境与能源工程学院
【出 处】
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中国稀土学报
【发表日期】
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2003年3期
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