【摘 要】
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该文采用有限元法研究了基于ScAlN/6 H-SiC结构的声表面波传播特性,并分析了4种激励条件下,压电材料厚度变化对ScAlN/6 H-SiC结构中声表面波相速度和机电耦合系数的影响,通过改变电极厚度及金属化率再次对机电耦合系数进行优化.结果表明,IDT/ScAlN/6 H-SiC结构的机电耦合系数可达到5.4％,对应的相速度为6.36 km/s,添加短路金属后,机电耦合系数值和相速度均有所提高,Metal/ScAlN/IDT/6 H-SiC结构下优化的机电耦合系数和相速度分别为15.78％和7.33
【机 构】
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天津理工大学 集成电路科学与工程学院,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300384;天津理工大学 集成电路科学与工程学院,光电器件与通信技术教育部工程研究中心,天津 300384
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该文采用有限元法研究了基于ScAlN/6 H-SiC结构的声表面波传播特性,并分析了4种激励条件下,压电材料厚度变化对ScAlN/6 H-SiC结构中声表面波相速度和机电耦合系数的影响,通过改变电极厚度及金属化率再次对机电耦合系数进行优化.结果表明,IDT/ScAlN/6 H-SiC结构的机电耦合系数可达到5.4％,对应的相速度为6.36 km/s,添加短路金属后,机电耦合系数值和相速度均有所提高,Metal/ScAlN/IDT/6 H-SiC结构下优化的机电耦合系数和相速度分别为15.78％和7.33 km/s.
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