GaSb衬底外延InAs薄膜及光学性质研究

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hsgnln

【摘要】

：

利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位

【作者】

：

张健唐吉龙亢玉彬方铉房丹王登魁林逢源

【机构】

：

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2019年10期

【关键词】

：

InAs薄膜 InAsSb缓冲层晶格失配晶体质量发光特性分子束外延技术 X射线衍射

【基金项目】

：

国家自然科学基金(Nos.61704011,61674021,11674038);高功率半导体激光器国家重点实验室基金,吉林省科技发展项目(Nos.20160519007JH,20160520117JH,20160101255JC,20170520118JH)

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利用分子束外延技术在GaSb(100)衬底上先生长作为缓冲层以降低薄膜失配度的低Sb组分的三元合金InAsSb,再生长InAs薄膜.在整个生长过程中通过反射高能电子衍射仪进行实时原位监测.InAs薄膜生长过程中,电子衍射图案显示了清晰的再构线,其薄膜表面具有原子级平整度.利用原子力显微镜对InAs薄膜进行表征,结果显示较低Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度比较高Sb组分的InAsSb缓冲层上外延InAs薄膜的粗糙度降低了约2.5倍.通过对不同Sb组分的三元合金InAsSb缓冲层上外延的

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