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采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的CMOS低噪声放大器中的噪声，并提出了一个新的噪声系数解析式．基于此解析式，讨论了分布栅电阻和内部沟道电阻对噪声性能的影响．对噪声性能进行了两种不同的优化，并应用于5．2GHz CMOS低噪声放大器的设计．
CMOS低噪声放大器中噪声的系统研究方法
【摘 要】
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采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的CMOS低噪声放大器中的噪声，并提出了一个新的噪声系数解析式．基于此解析式，讨论了分布栅电阻和内部沟道电阻对
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
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2005年3期
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