【摘 要】
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采用了类似于电子束蒸发工艺制备透明有机发光二极管(TOLED)的阴极.使用了一种新材料LaB6作为透明阴极,器件结构为ITO/TPD/Alq3/LaB6.LaB6薄膜的沉积是利用氧化物阴极的电子
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采用了类似于电子束蒸发工艺制备透明有机发光二极管(TOLED)的阴极.使用了一种新材料LaB6作为透明阴极,器件结构为ITO/TPD/Alq3/LaB6.LaB6薄膜的沉积是利用氧化物阴极的电子束轰击装在石墨坩埚的LaB6粉末.由于LaB6的功函数很低,器件具有良好的电子注入性能.器件在可见光光谱范围的透过率为70%左右,当驱动电压为7.2V,对应注入电流密度为4.8mA/cm2,亮度可达100cd/m2.
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