【摘 要】
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采用低能MEVVA离子源技术对由磁过滤阴极真空弧沉积的TiN硬质膜进行了Si离子注入。采用场发射扫描电子显微镜、纳米硬度测试等方法,研究了基体离子注入剂量对薄膜性能的影响
【机 构】
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北京航空航天大学材料科学与工程学院
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采用低能MEVVA离子源技术对由磁过滤阴极真空弧沉积的TiN硬质膜进行了Si离子注入。采用场发射扫描电子显微镜、纳米硬度测试等方法,研究了基体离子注入剂量对薄膜性能的影响。结果表明,Si离子注入能在薄膜表面形成均匀细小的纳米颗粒。使基体及薄膜硬度从33GPa提高到56GPa,弹性模量从360GPa提高到750GPa。对薄膜进行多（4）次注入,硬度和弹性模量的提高并不显著,但对基体离子注入充分,薄膜的整体硬度和吸收塑性变形能的能力均有显著提高。
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