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采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜，研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律。结果表明，本文中优化的溅射气压为1．5Pa，强的偏置磁场可形成强的横向各向异性，从而显著提高材料的应力阻抗效应。随着测试频率从0．1MHz升高到30MHz，薄膜的应力阻抗效应显著增强。