【摘 要】
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利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ２透明多晶薄膜的表面。定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有
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利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ２透明多晶薄膜的表面。定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有关，根据实验结果和分析，研究薄膜Ｈ２吸附机理，讨论ＳｎＯ２薄膜的气敏与ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ异质结光伏的关系以及制备温度对薄膜吸附反应性能的影响。
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