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为了在聚偏二氟乙烯（PVDF）压电薄膜上得到特定形状和尺寸的金电极，利用光刻技术的基本原理，分别实施了2种制备方案，即正性胶保护法和负性胶保护法。实验结果表明：负性胶保护法不能用于PVDF压电薄膜金电极的制作，而正性胶保护法能够成功地完成PVDF压电薄膜上金电极的制作，并已经成功地应用于高频超声换能器研制中。