【摘 要】
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CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺一贯能给半导体业带来惊喜.CMOS价格下跌而速度增加,这种局面主要有利于数字IC设计者.数字IC设计者不关心器件是运行在IV还是更低电压上,只要
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CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺一贯能给半导体业带来惊喜.CMOS价格下跌而速度增加,这种局面主要有利于数字IC设计者.数字IC设计者不关心器件是运行在IV还是更低电压上,只要它有足够的SNR(信噪比),能将“1”和“0”区分开来.另一方面,模拟设计者则要花大量时间,对纯模拟信号或混合信号器件的选择作出权衡.细线宽CMOS的一个重要问题是它昂贵的掩模组.这一缺点使得该技术只适用于市场规模大的IC,这样可以分摊成本.不过模拟IC设计者也有替代产品:双极SiGe(硅锗)和BiCMOS(双极CMOS)SiGe.另外,锗应变硅(germanium-strained-silicon)CMOS可以制造快速PMOS(P沟道MOS)晶体管,适用于快速、互补的低泄漏数字设计.
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