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本文用LCAO—Recursion方法研究了n型（磷）杂质对（Ge）n／（St）n应变层超晶格（SI。S）电子结构的影响，计算了杂质及其近邻和次近邻原子的局域（LDOS）和分波态密度（PDOS）；计算了纯净和掺杂超晶格的总态密度，得出了带隙和费米能级。另外还计算了P杂质代替超晶格表面原子时的LDOS和PDOS。我们发现：P的掺杂使超晶格的赛米能级上升；杂质带形成带尾进入禁带从而使带隙变窄；表面P杂质影响表面态的来源及大小。更多还原