【摘 要】
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据日刊《日经》1987年11月16日报导: NEC继研制出GB为45GHz的PLEG(择优横向扩展保护环)APD后,现又研制出GB达75GHz的InGaAs APD。该器件响应波长为1.55μm(M=10),光敏面直径
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据日刊《日经》1987年11月16日报导: NEC继研制出GB为45GHz的PLEG(择优横向扩展保护环)APD后,现又研制出GB达75GHz的InGaAs APD。该器件响应波长为1.55μm(M=10),光敏面直径为30μm,GaInAs(光吸收层)厚约2μm,这种APD可
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