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使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响.实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大而减小,而器件的亚阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大.此外,还研究了有源层厚度对器件偏压稳定性的影响.有源层厚度越大的器件,其阈值电压漂移也会越大.这主要与半导体层中所增加的缺陷态密度有关.