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首先介绍了 GaN 器件的发展及特性,其次说明了 CCM 模式下的BOOST电路工作原理,并且详细介绍了基于GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）的高频驱动电路的设计.并对变换器在LTSpice软件中进行仿真,分析电路可行性及测试结果.经验证,本文的设计能很好满足电路的输出需求.
基于GaN功率器件的高频PFC变换器设计
【摘 要】
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首先介绍了 GaN 器件的发展及特性,其次说明了 CCM 模式下的BOOST电路工作原理,并且详细介绍了基于GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）的高频驱动电路的设计.并对变换器在LTSpice软
【机 构】
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陕西科技大电气与信息工程学院
【出 处】
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电源技术应用
【发表日期】
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2016年8期
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