【摘 要】
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以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学
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以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.
The lattice-matched heavy-carbon doped p-type GaAsSb material grown on InP substrate was grown by gaseous source molecular beam epitaxy (CBMB) using carbon tetrabromide (CBr4) as carbon source. By changing the CBr4 pressure, The maximum doping concentration is 2.025 × 1020cm-3 and the corresponding hole mobility is 20.4cm2 / (Vs) with doping concentration in the range of (1 ~ 20) × 1019cm-3. The effect of growth temperature on the composition, lattice quality and surface roughness of GaAsSb-doped epitaxial layers was studied. The results show that 480 ℃ is the optimum temperature for the growth of good lattice quality.
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