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以双端口网络的分析方法为依托，对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取．该等效电路基于准静态逼近，包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络．元件参数提取分为寄生参数提取和本征部分提取，是通过其等效电路的开路短路法来简化等效电路以及分析Y参数所得，提取的结果具有物理意义以及其方法能够去嵌寄生效应，如器件衬底耦合．