新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源

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运用带隙基准的原理,采用0.5μm的CMOS(Complementary Metal—Oxide Semiconductor)工艺,设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源.HSPICE仿真结果表明:电源电压‰最低可达1.9V,在温度-30~125℃范围内,电源电压VDD在1.9~5.5V的条件下,输出基准电压VREF=(1.225±0.0015)V,温度系数为γTC=14.75×10^-6/℃,直流电源电压抑制比(PsRR)等于50dB.在温度为25℃且电源电压为3V的情况下
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