【摘 要】
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基于区域选择性原子层沉积(AS-ALD)技术的自下而上制造工艺近年来在半导体、催化剂等领域得到了迅速发展.AS-ALD本质上是在同种材料的不同位点或异种材料表面实现目标产物在
【机 构】
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华中科技大学材料科学与工程学院,湖北武汉430074;华中科技大学机械科学与工程学院,湖北武汉430074
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基于区域选择性原子层沉积(AS-ALD)技术的自下而上制造工艺近年来在半导体、催化剂等领域得到了迅速发展.AS-ALD本质上是在同种材料的不同位点或异种材料表面实现目标产物在生长区域的选择性沉积,并且抑制在非生长区域的沉积.目前,实验上已经发展了多种表面抑制、活化技术,或者利用材料表面不同位点的固有差异实现金属前驱体的表面选择性生长.对近年来金属前驱体的AS-ALD理论研究进行总结,综述了密度泛函理论(DFT)等理论方法的金属前驱体与表面相互作用机制研究,从如何获得高选择性的角度,对AS-ALD理论与模型的进一步发展进行了展望.
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