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该文用导纳谱方法探讨ＺｎＯ２压敏陶瓷中电子陷阱的种类和起因，研究某些微量添加剂对它们的影响。结果本征缺陷二次电离填隙锌Ｚｎ＾２＋能探测到不但与其相对浓度大小有关还与测量温度有关；某些添加剂例如Ｂａ对Ｚｎ＾２＋缺陷的形成有抑制作用，除常见的对应于本征缺陷一次是离氧空位Ｖｏ＾＋及Ｚｎ＾２＋的是导峰１及２以外，在低温（－１７０℃左右）也出现电导峰３，其对应的陷阱能级Ｅ＝０．１６３ｅＶ，陷阱俘获截面σｎ＝