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在La0.67Ca0.33MnO3中进行了掺Gd研究，结果发现，经1400℃烧结的样品，获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加，材料的相变温度逐渐下降，对应的峰值电阻率大幅度增加，居里温度逐渐下降，磁电阻比明显提高。掺入11%的Gd后，可以使磁电阻比提高一个数量级。这些变化可以用晶格效应来解释。