非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:RK0707
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
低温下,测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下,观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关;下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关;而上支腔极化激元光荧光的上升时间却与失谐有强烈的依赖关系,随着从负失谐到正失谐的增加,上升时间逐渐减小。对实验结果的物理根源进行了讨论。
其他文献
用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下,观测到ADQW结构中
建立了一般意义上的单分子-光子泵模型,并用计算机模拟了在不同能量的光子激发下单个分子作为制冷泵时的量子跃迁过程,研究了单分子-光子泵处于基态和激发态时的热激发过程以
用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅(PbF2:Tb)晶体,闯杂浓度从0.008at.%至0.6at.%。在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱,发现该晶体在X-射线和紫外线激发下均能够
用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明:GaN薄膜的背散射沟道说与随机谱之比Xmin和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度
利用溶胶-凝胶(sol-gel)低温合成非晶态技术,以γ-氨基丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyl-triethoxysilane,KH550)与γ-缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷(3-glyeidoxy-propltfimet
设计并用磁控溅射方法制备了非晶Si/SiO2超晶格结构,以高纯多晶Si为靶材,当以Ar+O2为溅射气氛时,得到SiO2膜,仅以Ar为气氛时,得到Si膜。重复地开和关O2气,便交替地得到SiO2和Si膜。衬底在靶前往返平移,改变平移的速
近年来,有机电发光器件已经有了很大进展,寿命也已突破万小时,尽管如此,如何更进一步提高发光效率仍是人们所关注的热点。通过与无机半导体低维结构特性的类比,指出对某些有机材料
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.
在n+-GaAs(100)衬底上由分子束外延技术(MBE)生长了以[GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/[GaAs/AlAs]半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR),并对此DBR的光、电
在InGaN发光二极管中,尽管存在着大量的位错,但其效率还是相当高的.用InGaN作为有源层是很重要的.在InGaN基LED的情况下,为产生光发射需要较高的激发功率.横向大面积外延生长