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冶金等级的硅(MG-Si ) 的纯化在电子横梁融化期间被调查了(EBM ) 过程。磷,钙和铝内容在融化以后显著地减少的结果表演,和镁部分被移开。然而,在为硼和铁的内容的重要变化都没被发现。Langmuirs 方程和亨利法律被用来为每个杂质元素导出移动效率。免费表面温度被 Hertz-Knudsen-Langmuir 方程和硅蒸汽压力方程估计。好同意在测量并且计算的杂质移动效率之间被发现因为磷,钙和铝,镁,硼和铁。在二结果之间的偏差也深入地被分析。