Au／Ge/SiO2／p-Si结构中的电流输运特性

来源 :西北师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：runzhong

【摘要】

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用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p—Si（100）衬底上制备了Ge／SiO2薄膜，利用Au／Ge／SiO2／p—Si结构的I—V特性曲线研究了该结构的电流输运机制．分析表明，在较低的正向偏压和反向偏压

【作者】

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陈彦马书懿

【机构】

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西北师范大学物理与电子工程学院

【出处】

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西北师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2006年6期

【关键词】

：

Ge/SiO2薄膜射频磁控溅射电流输运 Ge/SiO2 film RF magnetron sputtering carrier transport

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用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p—Si（100）衬底上制备了Ge／SiO2薄膜，利用Au／Ge／SiO2／p—Si结构的I—V特性曲线研究了该结构的电流输运机制．分析表明，在较低的正向偏压和反向偏压下，电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流；而在较高的正向偏压下，Frenkel-Poole发射和空间电荷限制电流两种机制共同作用．

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