【摘 要】
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搭建由半导体制冷片和光谱仪组成的LED变温发光特性测试系统，使用多通道温度测试仪记录芯片工作温度，得到LED芯片在30-80℃范围内的发光特性与温度的关系。结果表明：在输入电流
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搭建由半导体制冷片和光谱仪组成的LED变温发光特性测试系统，使用多通道温度测试仪记录芯片工作温度，得到LED芯片在30-80℃范围内的发光特性与温度的关系。结果表明：在输入电流恒定时，随着芯片材料温度的不断升高，LED的电功率和光功率降低，LED光效下降趋势明显；同时由于材料禁带宽度减小， GaN LED的蓝光峰值波长发生红移；通过上述测试，利用数值拟合方式得到了芯片发光特性与温度之间的函数关系。
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