AgIn共掺杂(AgIn)xPb1-2x Te化合物的合成及热电传输性能

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Sampan_nb
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用高温熔融法合成了Ag和In共掺的单相n型(AgIn)x Pb1-2x Te化合物,研究了(AgIn)掺杂量x对(AgIn)x Pb1-2x Te(x=0.01~0.05)物相组成及热电性能的影响.结果表明:掺杂量x≤0.04时得到单相四元化合物,x=0.05时样品中出现了组成为AgInTe2第二相;(AgIn)x Pb 1-2x Te化合物的Seebeck系数随着x增加而增大,电导率随着掺杂量x增加而降低;化合物的热导率随着掺杂量x增大而减小;当x=0.01时,(AgIn) x Pb1-2x Te化合物
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