【摘 要】
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研究了90nm CMOS工艺下浅槽隔离技术产生的x轴应力对NMOSFET电学性能的影响。用新一代集成工艺仿真软件Sentaurus TCAD对不同有源区宽度（Sa=0.4μm~3.2μm,间隔0.4μm）的90nm沟
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助（60706002）
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研究了90nm CMOS工艺下浅槽隔离技术产生的x轴应力对NMOSFET电学性能的影响。用新一代集成工艺仿真软件Sentaurus TCAD对不同有源区宽度（Sa=0.4μm~3.2μm,间隔0.4μm）的90nm沟长NMOSFET进行了仿真并和测量数据进行了对比。随着有源区宽度从3.2μm减小到0.4μm,NMOSFET的饱和电流减小了7%,但其阈值电压增大了8%。这说明有源区宽度的减小使得STI应力增大,进一步减小了NMOSFET中电子迁移率和沟道中halo注入浓度的扩散,使得饱和电流退化,阈值电压增
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